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更新時(shí)間：2025.06.07

頭條 H橋驅(qū)動(dòng)電路圖比較???

第一個(gè)方案效率高一些，但是你用單片機(jī)可能帶不動(dòng)，第二個(gè)自己帶了pre driver，所以對(duì)驅(qū)動(dòng)要求低很多，但是high side用npn損失了不少效率。用推挽的MOSFET會(huì)好一些...

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正向壓降(VF)和正向電流的(IF)關(guān)系曲線，由曲線可知，當(dāng)正向電壓超過(guò)某個(gè)閾值(約2V)，即通常所說(shuō)的導(dǎo)通電壓之后，可近似認(rèn)為，IF與VF成正比。見(jiàn)表是當(dāng)前主要超高亮LED的電氣...查看詳情

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估計(jì)這個(gè)問(wèn)題很難有滿意回答。這個(gè)是別人辛辛苦苦做出來(lái)的，一點(diǎn)賞分，難以讓工程師輕易拿出來(lái)啊。想點(diǎn)其他方法，也許可以達(dá)成心愿。查看詳情

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不帶轉(zhuǎn)接板的tft？是不是自帶控制器的tft，如果是自帶控制器的tft，那就不需要特定的驅(qū)動(dòng)芯片，不知道你的是幾寸的，一般3.5一下的就有自帶控制器，其接法就好像一般的總線一樣，有...查看詳情

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對(duì)于大功率IGBT，選擇驅(qū)動(dòng)電路基于以下的參數(shù)要求：器件關(guān)斷偏置、門(mén)極電荷、耐固性和電源情況等。門(mén)極電路的正偏壓VGE負(fù)偏壓-VGE和門(mén)極電阻RG的大小，對(duì)IGBT的通態(tài)壓降、開(kāi)關(guān)...查看詳情

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只要VCC和VEE的電壓正確就不用擔(dān)心A314J的VO端子輸出電壓不足（但事實(shí)上這個(gè)電路中VEE電壓是0V）。C18 C19 是VCC和VEE的儲(chǔ)能電容，D3 D4 是限制輸出電壓...查看詳情

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12v直流電機(jī)驅(qū)動(dòng)電路：芯片L9110驅(qū)動(dòng)電路：L9110 是為控制和驅(qū)動(dòng)電機(jī)設(shè)計(jì)的兩通道推挽式功率放大專用集成電路器件，將分立電路集成在單片IC 之中，使外圍器件成本降低，整機(jī)可...查看詳情

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呵呵。你去買(mǎi)一個(gè)成品，譬如圓周率光電的24w調(diào)光調(diào)色吸頂燈，仿夏普和松下的調(diào)光調(diào)色的，就是那種帶RF遙控，10檔色溫*10檔亮度的，拆開(kāi)一看就能了解遠(yuǎn)離了。阿里巴巴看了一下，才99...查看詳情

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近幾年來(lái)MOSFET和IGBT在變頻調(diào)速裝置、開(kāi)關(guān)電源、不間斷電源等各種高性能、低損耗和低噪音的場(chǎng)合得到了廣泛的應(yīng)用。這些功率器件的運(yùn)行狀態(tài)直接決定了設(shè)備的優(yōu)劣，而性能良好的驅(qū)動(dòng)電...查看詳情

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IGBT成為絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)管 GTO 門(mén)極可關(guān)斷晶閘管 GTR 巨型晶閘管 MOSFET如果你采用的是王兆安的第五版的那么書(shū)上的結(jié)論如下：1.GTO的驅(qū)動(dòng)電路：分為脈沖變壓器耦合...查看詳情

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因?yàn)橥ǔＧ闆r下，驅(qū)動(dòng)電路為高電壓大電流，而控制電路則為低電壓小電流。為了避免干擾或高壓電串入電壓電路造成損壞，故需要進(jìn)行隔離。查看詳情

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Ø集成650V高壓MOSFETØ快速啟動(dòng)<100msØ恒流精度<+-3%Ø集成式內(nèi)部環(huán)路補(bǔ)償Ø高壓自供電，無(wú)需輔助繞組...查看詳情

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vgsth 如果是 N-MOS管指大于這個(gè)電壓mos管才開(kāi)始導(dǎo)通查看詳情

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