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更新時(shí)間:2025.06.07
HPT型Ge量子點(diǎn)紅外探測(cè)器

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異質(zhì)結(jié)光敏晶體管(HPT)是一種具有內(nèi)部電流增益的光電探測(cè)器,且與異質(zhì)結(jié)雙極晶體管(HBT)的制作工藝完全兼容。利用超高真空化學(xué)氣相淀積(UHV/CVD)方法在HBT晶體管的基區(qū)和集電區(qū)間加入多層Ge量子點(diǎn)材料作為光吸收區(qū)。TEM和DCXRD測(cè)試結(jié)果表明,生長(zhǎng)的多層Ge量子點(diǎn)材料具有良好的晶體質(zhì)量。為了提高HPT的發(fā)射極注入效率,采用高摻雜多晶硅作為發(fā)射極,并制作出兩端HPT型Ge量子點(diǎn)探測(cè)器。室溫條件下的測(cè)試結(jié)果表明,HPT型量子點(diǎn)探測(cè)器具有低的暗電流密度和高的反向擊穿電壓。-8 V偏壓下,HPT型量子點(diǎn)探測(cè)器在1.31μm和1.55μm處的響應(yīng)度分別為4.47mA/W和0.11 mA/W。與縱向PIN結(jié)構(gòu)量子點(diǎn)探測(cè)器相比,HPT型量子點(diǎn)探測(cè)器在1.31μm和1.55μm處的響應(yīng)度分別提高了104倍和78倍。

新型量子點(diǎn)紅外探測(cè)器

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美國(guó)倫斯勒理工學(xué)院的研究人員開(kāi)發(fā)出了一種基于納米技術(shù)的新型量子點(diǎn)紅外探測(cè)器(QDIP)。這種以金為主要材料的新型元件可大幅提高現(xiàn)有紅外設(shè)備的成像素質(zhì),將為下一代高清衛(wèi)星相機(jī)和夜視設(shè)備的研發(fā)提供可能。

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