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更新時間：2025.06.07

頭條 功率MOS場效應(yīng)晶體管的選擇方法

首先根據(jù)你的需求決定選擇NPN還是PNP（建議盡量選用NPN，應(yīng)為同工藝的NPN管子要比PNP的相對便宜、性能相對優(yōu)越）然后根據(jù)你的電路環(huán)境決定管子耐壓Vds，過流Id，根據(jù)導(dǎo)通損...

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隨著高速毫微秒脈沖技術(shù)的迅速發(fā)展,原有的電真空器件由于體積大、功耗大、壽命短、可靠性差等缺點,已不能適應(yīng)當(dāng)前高速毫微秒脈沖技術(shù)發(fā)展的需要。整機單位迫切要求實現(xiàn)高壓高速脈沖源的固體化、小型化。這就推動了高壓大電流高速半導(dǎo)體功率器件的發(fā)展。經(jīng)過多年的努力,取得了很大進展,并已成為當(dāng)前大功率半導(dǎo)體器件發(fā)展的一個引人注目的研究方向。目前大力推廣應(yīng)用的器件主要有垂直溝道硅MOS場效應(yīng)管,而高壓垂直溝道結(jié)柵場效應(yīng)晶體管的開發(fā)研制則近幾年才開始。由于結(jié)柵場效應(yīng)管是一種耗盡型器件,極間電容小,器件的開關(guān)速度優(yōu)于MOS器件。在需要產(chǎn)生極窄寬度的高壓脈沖場合下,垂直溝道結(jié)柵高壓場效應(yīng)晶體管是理想的固體器件。其優(yōu)越的開關(guān)性能、溫度特性不是雙極型或MOS器件可以輕易取代的。

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