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LED 發(fā)光二極管的發(fā)光機理詳細圖解 LED 發(fā)光二極管的發(fā)光機理 1.p-n 結(jié)電子注入發(fā)光 圖 1、圖 2表示 p-n結(jié)未知電壓是構(gòu)成一定的勢壘；當加正向偏置時勢壘下降， p區(qū)和 n 區(qū)的多數(shù)載流 子向?qū)Ψ綌U散。由于電子遷移率 μ比空穴遷移率大得多，出現(xiàn)大量電子向 P 區(qū)擴散，構(gòu)成對 P區(qū)少數(shù)載流 子的注入。這些電子與價帶上的空穴復(fù)合，復(fù)合時得到的能量以光能的形式釋放。這就是 P-N 結(jié)發(fā)光的原 理。 P-N 結(jié)發(fā)光的原理圖 1 P-N 結(jié)發(fā)光的原理圖 2 發(fā)光的波長或頻率取決于選用的半導體材料的能隙 Eg。如 Eg的單位為電子伏（ eV） , Eg=hv/q=h c/( λq) λ=hc/(qEg)=1240/Eg (nm) 半導體可分為置接帶隙和間接帶隙兩種，發(fā)光二極管大都采用直接帶隙材料，這樣可使電子直接從導 帶躍遷到價帶與空穴復(fù)合而發(fā)光，有很高的效率。反之，采用間接帶隙材
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LED 發(fā)光二極管的發(fā)光機理詳細圖解 LED 發(fā)光二極管的發(fā)光機理 1.p-n結(jié)電子注入發(fā)光 圖 1、圖 2表示 p-n 結(jié)未知電壓是構(gòu)成一定的勢壘；當加正向偏置時勢壘下降， p 區(qū)和 n 區(qū)的多數(shù)載流子向?qū)Ψ綌U散。由于電子遷移率 μ比空穴遷移率大得多，出現(xiàn)大量電子向 P 區(qū)擴散，構(gòu)成對 P區(qū)少數(shù)載流子的注入。這些電子與價帶上的空穴復(fù)合，復(fù)合時得到的能 量以光能的形式釋放。這就是 P-N 結(jié)發(fā)光的原理。 P-N 結(jié)發(fā)光的原理圖 1 P-N 結(jié)發(fā)光的原理圖 2 發(fā)光的波長或頻率取決于選用的半導體材料的能隙 Eg。如 Eg 的單位為電子伏 （eV） , Eg=hv/q=h c/( λ q) λ =hc/(qEg)=1240/Eg (nm) 半導體可分為置接帶隙和間接帶隙兩種， 發(fā)光二極管大都采用直接帶隙材料， 這樣可使 電子直接從導帶躍遷到價帶與空穴復(fù)合而發(fā)光，有很高的效率。反之，采用間
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